【發(fā) 明 者】CHAUHANANUJ；BENGANI LOKENDRAKUMAR CHAINROOM KUMAR；
【申 請 人】巴斯夫（BASF SE）
【申 請 號】EP13176102
【申 請 日】2013-07-11
【公 開 號】EP2824511
【公 開 日】2015-01-14
【摘 要】本專利涉及使用含至少三個(gè)短鏈全氟基團(tuán)Rf的表面活性劑A來清洗用于制造半導(dǎo)體襯底的帶圖案的光掩模，所述半導(dǎo)體襯底圖案中的最小線寬間距小于60nm。表面活性劑A重均含量為1%的水溶液表現(xiàn)出的靜態(tài)張力小于25 mN/m，其含有的三個(gè)短鏈全氟基團(tuán)Rf可選自三氟甲基、五氟乙基、1-七氟丙基、2-七氟丙基、五氟硫烷基。使用含表面活性劑A的掩膜清洗溶液，可提高顆粒清除效率，拓寬物理力學(xué)處理的工藝窗口，且無霧狀缺陷，無水印，無臨界尺寸（CD）損失。
